產生光電導現象的方法主要有（yǒu）導帶與價帶之間的躍遷、子帶之間的躍遷或者雜質帶激發，目前人們普遍認為由遠（yuǎn）小於半導體禁帶（dài）能量的光子直接激發的室溫光電導機製是不可能實現的。中國科學院上海技術物理研究所黃誌明研究員團隊研究發現並提出（chū）一種太赫茲（zī）波段室溫新光（guāng）電導現象(見下圖)：當外部電磁波(光子)入射到器件（jiàn）上，將在半導體材料中誘導勢阱，從而束縛來自於金屬（shǔ）中的載流子，使得材料中載流子濃度（dù）發生改變。黃誌明團隊成功製備出（chū）相關器件，並通過實驗證明了所提出理論的正確性。

　　有關研究（jiū）結果已於9月1日（rì）在線（xiàn）發表在Advanced Materials (DOI:10.1002/adma.201402352)上。此項研究結果證明了遠小於禁帶能量的光子激發的室溫光電導機製，並跳出了傳（chuán）統的基於帶間躍遷、子帶能級躍遷，以及雜質帶激發產生光電導的限製，解決了室溫下遠小於禁帶能量光子直接產生光電（diàn）導這一難題。它將對半導體、超材料、等離子體和太赫茲低能（néng）光子探測產生深遠影（yǐng）響。