三星電（diàn）子公司（sī）日前宣布，該公司已（yǐ）經利用60納米技（jì）術開發（fā）出（chū）一款8GB的（de）NAND閃存芯片，從而蕩（dàng）平了通往（wǎng）16GB閃存設（shè）備的大道上的技術樊籬，此類（lèi）設備有望來年（nián）麵世。 　　與（yǔ）此同時，該公司還宣布了一項消息：該公司采用80納米技術，推出了世（shì）界首款2GB雙（shuāng）倍（bèi）速DDR DRAM芯片，目前此類芯片廣泛應（yīng）用於（yú）計算機部（bù）件中。 　　8Gb NAND 閃（shǎn）存的（de）問世（shì）使得在一塊存儲板卡上設（shè）計16GB存（cún）儲係統成為可能。16GB存儲空間的概念是：可以連（lián）續播放16小時高畫質DVD或者是4000首(每首5分鍾)MP3歌曲（qǔ）的容量。 　　此類高集成度精密電路設計的關（guān）鍵在於三維單元晶（jīng）體管結（jié）構以及（jí）高度門絕緣技術，這樣可以將單元之間的幹擾降到最低。此（cǐ）外，借助於廣泛使用的KrF微印技術，成本（běn）可以壓縮近一半。 　　三星電子半（bàn）導（dǎo）體部總裁（cái）Hwang Chang-gyu說：“開發進展表明，半導體容量還可以通過（guò）改進設計及工藝而加以擴大，而不是依靠單一的微處理技術”。 　　Hwang博士稱，業內存儲密度經曆了1999年的256MB、2000年（nián）的512MB、2001年的1GB、2002年的2GB、2003年4GB以及2004年的8GB一係列演化過程”。與著名的摩爾定律(稱計算機芯片的處（chù）理（lǐ）能力每隔18個月將翻倍)相對比，這種推論常被稱作“Hwang氏定律”。 　　三星公司預計在2005年下半年開始大規模生產這種2GB芯片（piàn）。 　　他還（hái）預測到，來年全球半導體銷售增長速度將會在今年20%的增長速度基礎上有所放緩、成為10%。 　　上周（zhōu），摩根斯坦利(Morgan Stanley)降低了其對2005年半導體業的預期（qī），從原來預計的的13%到18%降低（dī）為8%到12%。