導言：於8月30日出版（bǎn）的（de）《福布斯》發表（biǎo）文章指出，英特爾於2004年8月30日正式對外宣布將於2005年正式生產基於65納米技術的電腦芯片產品（pǐn），並且帶有70MB的SRAM的測試芯片產品目前已經進入了生產階段。 　　英特爾的（de）消（xiāo）息給業界帶來了巨大的震（zhèn）動，因為憑借這項技術，英特爾成為了（le）進軍芯片高端生產，即擁有如此精密芯片製造技術領域的第（dì）一人。另一方麵隨著芯片生產技術的提高，芯片設（shè）計者現在擁（yōng）有了更多的（de）資源充分發揮自己的構想。此次英特爾用自己的實際行動捍衛了公司創建者之一摩爾（ěr）鼎鼎（dǐng）大名的摩爾定律（lǜ）：芯片（piàn）產品中整合的晶體管數量將會在18到24個月之中得到翻倍的增長（zhǎng）。 　　作為世界上最大的芯片製造商，英特爾一直致力於芯片工業的（de）發展，正是它的一次（cì）次技術革新（xīn）為如今的電腦用（yòng）戶帶來了如（rú）此（cǐ）強勁的性能，從早期的130納米技（jì）術到現在流行的90納米芯片技術，英特爾立（lì）下（xià）了赫赫戰功，而這次（cì）英特爾又用實際行動延續了自己的輝煌。 　　“這次的技術革新（xīn）給我留（liú）下了極為深刻的印象。”紐約Envisioneering Group公司調查機構總裁理查德表（biǎo）示，“英特爾的成功將幫助整個業界前進一大步。” 　　鑒於過去幾年中英特爾公司在芯片技術上的按兵不動，理查（chá）德表示公司在向（xiàng）90納米技術進化的道路上所遇到的（de）困難（nán）顯然（rán）要大（dà）大多於向（xiàng）65納米技術進化中所遇到的。 　　新型芯（xīn）片中的（de）晶體管中包括一種門電路，這種（zhǒng）電路控製晶體管的開關狀態，這種門電路（lù）的（de）大小達到了35納米，僅僅是90納米芯片時代的30%。英特爾方麵表示100個（gè）這種新型門電路加起來的直（zhí）徑才等於人體血紅細胞的直徑。 　　英特爾公司（sī）本身並不自行銷售SRAM芯片（piàn）產品，但（dàn）是SRAM被英特爾用來作為新技術開發的測試載體。大約1000萬個SRAM芯片（piàn）上的晶體管加起來所占的麵積才不過1平方（fāng）毫米，這個麵積大約等於一枝圓珠筆尖，英特爾用來開（kāi）發芯片產品的實驗室在俄勒岡州的Hillsboro研究中心，中心的大小（xiǎo）相當於三個足球場那麽大（dà）。 　　目前英特爾（ěr）公司計劃與兩家芯片製造工廠進行合作生產新型芯片產（chǎn）品，地點分別是亞利桑那州的Scottsdale市以（yǐ）及愛爾蘭。 　　更為小型的芯片對於那些個人電腦（nǎo）製造商來說無異於天大的喜訊，他們包括戴爾，惠普，以及Gateway，更為小型的體積帶來了更為靈活的設計，並且小型的（de）芯片還意味著功耗的降低（dī），於是那些製造讓（ràng）人發瘋的噪音的風扇等（děng）降溫裝置可以逐漸的被更為安靜的設備所取代。 　　並且尺寸（cùn）的降低使得芯片設計者們（men）可以擁有更高（gāo）的設計靈活性，可以在條件允許的情況（kuàng）下盡可能的提高產品的工作頻率（lǜ）。不過在最近幾年中在芯片設計領（lǐng）域遇到了諸（zhū）多的困難影響了產品性（xìng）能的進（jìn）一步提升（shēng），其中最為顯著的就是晶體管熱泄漏現象（xiàng）。 　　上述現象的（de）具體解釋如下：隨著晶體管體積的逐漸減小，它們（men）之間的距離也變得越來越小，這也將導致了能量的流失從而影響產品的性能。為了（le）彌補這（zhè）種情況（kuàng）造成（chéng）的損失，芯片中就需要更（gèng）多的能量（liàng）來維持正常的運轉，這也將增加產品的發熱量，然而晶體管的理（lǐ）想狀態是完全（quán）的不散熱，就（jiù）好（hǎo）像一個發光但不發熱的燈泡一樣。 　　對於這個難題，英特爾使用了（le）一種名為“收縮矽片”的技術，通過這種技術，那些發熱（rè）的電子（zǐ）可以被完全控製，從而晶體管熱泄漏現象得以很好的解決，這種技術在90納米芯片產品中就得以廣泛的應（yīng）用，而隨（suí）著65納米技術新（xīn）型芯片的呼之欲出相信“收縮矽片”技術將得以更為充分的應用。 　　英特爾方麵表示（shì）新型芯片產品中將整合“收縮矽片”技（jì）術（shù）的第二（èr）代，在沒有增加晶體管（guǎn）熱泄漏的情況下可以將晶體管的性能提高10%到15%。當芯片中的晶（jīng）體（tǐ）管與（yǔ）老型號的90納米芯片運行於相（xiàng）同狀態當中的時候，新型芯片產品中的晶體（tǐ）管泄漏效果將（jiāng）降低到過去的四（sì）分之（zhī）一（yī）。 　　“收縮矽片”技術的原理如下：通過強迫矽片中的原子分開存在，從（cóng）而使得電（diàn）子不得（dé）不運行在（zài）一條更長的軌（guǐ）道上，這也使得它（tā）們以更高的速度運動，進（jìn）而提高了（le）芯片中晶體管的運轉速度。 　　上周英特爾的（de）主要競爭對（duì）手AMD表示它已經開（kāi）始在其90納米芯片製造過（guò）程中使用了“收縮（suō）矽片”技術。與此同時藍色巨人IBM也開始在其芯片生產過程中使用“收縮矽片（piàn）”技術。 　　為了進一步降低產品的功耗，英特爾在最近（jìn）又找到了（le）一條新的辦法，名為：睡眠晶體管。當SRAM中的大板塊沒有被應用的時候，芯片中關於這一部分的區域將會自動（dòng）處於關閉狀態。這種新技術在一些對於能源功耗要求極高的領域具（jù）有重大的意義，例如使用電池（chí）作為能源的筆記本電腦產品。大多數微處理（lǐ）器中都（dōu）整合有SRAM作為暫存機構，其的作用是在處理器處理（lǐ）數據（jù）的同（tóng）時充當臨時數據存儲機構的角色。而（ér）在工作的間歇時期能夠停止運轉可以大大的降低功耗從而降低芯片的散熱要求。 　　這次（cì）英特（tè）爾對於新型芯片技術的公布恰逢季度中的新聞發布會前（qián）夕，相信英特爾的好消息可以在9月2日的（de）新聞發布（bù）會上（shàng）得到熱（rè）烈（liè）的反響，而公司的股票（piào）也有望再創新高。上周（zhōu）波士頓（dùn）的Credit Suisse First Boston表示英特爾的季度銷量將會逐漸攀升，甚至超過公司之前的預期，並且這種強勁的勢頭有望（wàng）一直持續（xù）到2005年。Credit Suisse First Boston表示英（yīng）特爾的股票預期將會增長到每股31美元的水平，而上周五（wǔ）股市收盤之後，英（yīng）特爾的股價僅僅是每股22.02美元，比前一個交易日上漲了2美分。 　　這次英特爾摩爾計劃的（de）恢複也許標誌著（zhe）公（gōng）司瘋狂腳步的開始，如果一切正常，下一步公司的目標將會是45納米（mǐ）技術芯片，時間大約是2007年當中。英特爾方麵也表示他們（men）還在對（duì）於“收縮矽片”技術進行進（jìn）一步的研究，爭取在最短的時間內推出下一代芯片技（jì）術。 　　加州調查機構（gòu）VLSI Research總裁單-惠特森（sēn）表示：“就在一些人（rén）表示摩爾定律不複存在（zài），過去的兩年周（zhōu）期將會被（bèi）延（yán）長到三年的時（shí）候，英特爾用（yòng）自（zì）己的行動回斥了他（tā）們。現在英特爾可以驕傲的對外界宣布--摩爾（ěr）定律（lǜ）仍然存在，英特爾將會（huì）作為永遠的（de）守護者。”