2005年電力電氣行業發展重點(diǎn) (2005-01-20)
發布時間:2007-12-04
作(zuò)者:
來源:中國工(gōng)業報
瀏覽(lǎn):1357
近年來,我國(guó)電力電子器件的發展十分迅速,已由早期的(de)小功率、半控、低頻器件發展到現在的超大功率、全控、高頻器件(jiàn)。目前(qián)國內生產的電力電子器件仍以晶(jīng)閘管為主,中低檔的產品業已成熟,並有相當的(de)批量出(chū)口。
由於電力電子技術是應用電力電子器件來實現對電能(néng)的(de)多種變換和控製,采用這項技術製造的電力電子裝置實現了用弱電控製強電的功能,具(jù)有節能、降耗、省材,提高用電質量的優點。因此,電(diàn)力電子技術被(bèi)認為是新興產業和改(gǎi)造傳統產業的基礎,也是新一代的(de)高新技術。同國外相比,目前我國電力電子器件(jiàn)的品(pǐn)種和質量存在很大的(de)差距,新一代的電力電子器件尚(shàng)缺少生產能力。為適應我國國民經濟高速發展的需要,必須加大力度(dù)支持新型電力電子器(qì)件的開發和(hé)生產,並盡快推向市場。
今後一個時期(qī),電力電子行業技術工作的重點(diǎn)是,下大力進行市場前景看好、能代表當今(jīn)技(jì)術水平的四大類(lèi)電力電子器件的研究開發,突破關鍵技術,加(jiā)快(kuài)技術創新步(bù)伐。1.加速開發高檔大功率晶閘管、快速晶閘管、雙向晶閘管、高頻(pín)晶閘管、逆導晶閘(zhá)管等高(gāo)新技術產品。突破(pò)高壓器件設計、高壓(yā)擴(kuò)散技術、表麵造型保護技術和全壓接等(děng)關鍵技術。2.加速開發IGCT產品。下大力急需解決GCT的設計、均勻擴散技術、透明發(fā)射極製造(zào)技術、精密光(guāng)刻挖槽技(jì)術、表麵造型及(jí)保護技術、封裝技術和硬門極觸(chù)發設計及製(zhì)造技術。3.加速開發技術難度大、工藝裝備複雜的IGBT產品。將大規模集成電路製造技術和大功率電力電子技術緊密結合在一起。當(dāng)前要解決的是高(gāo)壓器件的設(shè)計技術、高壓場環技(jì)術和IGBT的芯片封裝與測試技術。4.加速開發大功率快速軟恢複二極管。盡快解決具有自建電場的雜質濃度分布擴散(sàn)技術、電場截止基區厚度及雜質分(fèn)布控製技術等難題。