台北科（kē）研人員在半導體製程設備與技術上取得一項突破，被譽為“半導體電漿製程測漏尖兵”的“微型光譜即時偵測器”由台灣（wān）精密儀器發展中（zhōng）心宣布研發成功。 　　精密儀器發展中心主任陳建人今天在記者會上介紹，台灣（wān）半導體產業發展快速，已創下高達兆元（yuán）新台（tái）幣（bì）的產值，各大廠對製程設備投資更（gèng）是不遺餘力（lì），不過這些昂貴的設備幾乎完全仰賴進口，於是該（gāi）中心以“半導體電漿製（zhì）程漏氣微型光譜即時偵測器研製”課題（tí），參加為提升島內半導體製（zhì）程設備與技術所推動（dòng）的（de）“儀器（qì）設備合作開發研究計劃”，以有效（xiào）提升產業競爭（zhēng）力。 　　在（zài）目前與下一代半導體生產設備的四個（gè）製程模（mó）塊中，薄膜沉積與蝕刻兩個模塊（kuài）有過半機台需要使用電漿製（zhì）程，以一座（zuò）標準八英寸或十二英寸晶圓廠而言，約有一百台（tái）設備是使用電漿製（zhì）程，當腔體發生（shēng）漏氣時（shí），將會降低產品合格率與提高生（shēng）產成本，嚴重時更將導致晶圓廠生產線作業停擺，造成業者莫大的損失，因（yīn）此即時漏氣偵測儀器的開發刻（kè）不容緩。 　　精密儀器發展中心副研究員高健薰博士介紹，現有台灣一般晶圓廠的製程質量管（guǎn）理多采（cǎi）用每十二小時（shí）進行一次晶圓半成品樣本特性檢測方式作管控，當半成品合格率降低時，並不（bú）容易確認問題是來自於腔體漏氣或其它原因。因為缺乏（fá）實時偵測儀器，以目前常用之電漿氣相化學沉積機台為例，平均每小時（shí）可以鍍製四十片八英寸晶圓（yuán），若在每十二小時半成品樣本檢（jiǎn）測程序中間腔體發生漏氣時，將造成約新（xīn）台幣七百二十萬之成（chéng）本損失。即使確認漏氣是（shì）合（hé）格率降低的主因，期間停機尋找發生原因的損失也難以估計。 　　科研人（rén）員經過一年兩個月（yuè）的研究，開發（fā）出這種輕薄短小且為獨立於係統設備之外的實時（shí）偵測儀器。其工作原理係運用電漿製程中各種氣體均具（jù）有不同特征（zhēng）光（guāng）譜譜線的特性，若（ruò）腔體發生漏入（rù）空氣的（de）情況，腔體內氣體成分將（jiāng）發生（shēng）改（gǎi）變，如此即可藉由偵測氮氣或氧（yǎng）氣的特（tè）征譜線來加以確認。一旦有設定之異常現象出現，便可由控製係統發出預防性的警示信號，對（duì）減少生產成本並對（duì）產品的合格率及品（pǐn）質提升大有助益。這項研發創意已於聯華電子公（gōng）司晶圓廠的電漿製（zhì）程設備線上測試，該廠（chǎng）工程師（shī）認為切實可（kě）行（háng）。 　　高建薰表示（shì），微型光譜（pǔ）即時（shí）偵測器除應用於半導體電（diàn）漿製程設備外，平麵顯示器等需使用電漿製程設（shè）備的高科技產業（yè）也可使用，在精密的九十納米以下製程工（gōng）藝、苛刻的（de）腔體漏測偵測需求時將更（gèng）有用武之地。此項研發成果已申請專利並將積極對外推廣，估計僅島內就有上（shàng）萬台的市場。