在北京市科委納米專項支持下，北京大學化學與分子工程學院李（lǐ）彥教（jiāo）授課題組在單（dān）壁碳納米管手性可控（kòng）生長研究上取得重（chóng）要突破，為碳納米管的應用，尤其是（shì）碳基電子（zǐ）學的發展（zhǎn）奠定了基礎。
　　據預測，基於矽基CMOS集成電路的微電子技術在未來（lái）十年左右將趨近於發展的極限（xiàn），發（fā）展後摩爾時代的納電子技術已迫在眉睫（jié）。2009年，國（guó）際半導體路線圖（tú）委員（yuán）會推薦基於碳納米管和石墨（mò）烯的碳基電子學技術作為未來10-15年可能顯現商業價值的新一代電子技術。材料是碳基電子學發展的基礎和關鍵，然而迄今科學家仍無法實現（xiàn）碳納米管的結（jié）構可控生長，這已經成為製約碳基電子學發展（zhǎn）的瓶頸問題。
　　單壁碳納米管可（kě）看作是由石墨烯沿（yán）一定方向卷曲而成的（de）空心圓（yuán）柱體，根據卷曲方式(通（tōng）常稱為“手性”)的不同，可以是（shì）金屬性導體或帶隙不同的半導體。這是碳納米管的一個獨特而優異的性質，但同時也是碳納米管製備上的巨（jù）大挑（tiāo）戰。用一般方法合成的樣品均為不同結構的碳納米管組成的混合物，而單一手性單壁碳納米管的選（xuǎn）擇性生長（zhǎng）成為一個難題。
　　李（lǐ）彥（yàn）教授課題組經過十二年的潛心研究，逐（zhú）步深化了對碳納米（mǐ）管的生長（zhǎng）機製和催化劑作用的（de）認識，在此基礎上提出了一種實現單壁碳納（nà）米管結構/手性（xìng）可控生長的方案。該課題（tí）組（zǔ）發展了一類鎢基合金催化劑，其高熔點的特性（xìng）確保了單壁碳納米管在（zài）高溫環境下的生（shēng）長過程中保持晶態結構，其獨特的原子排布方式可用來調控生長的碳納（nà）米管的結構，從而實現（xiàn）了（le）單壁碳納（nà）米管的結構/手性可控生長，利（lì）用這種方法生長出了含量高於92%的（12, 6）型碳納米管。通過調控催化（huà）劑的結構，課題組還實現了（16,0）和（14,4）碳納米管的選擇性生長，更多的實驗結（jié）果表明該方法具有普適（shì）性，相關研究成果發表在6月26日的《自然》雜誌 。