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中國計量院舉辦“微電子和石墨烯產業(yè)中的測量、計量與表(biǎo)征”研(yán)討會

發布時間:2014-07-03 作者: 來源:高慧芳 瀏覽:1433

  近(jìn)日,由中國計量院舉辦的“微電子和石墨(mò)烯產(chǎn)業中的測量、計量與(yǔ)表征”研討(tǎo)會在昌平院區(qū)召開。此次(cì)研討會以微電子產業和石墨烯產業對測量、計量和表征技術的需求為主要研討內容(róng),關注所涉及的測量與(yǔ)表征技術的(de)發展(zhǎn)前沿、關鍵技術和產業需求(qiú),來自(zì)中國、美國(guó)、英國、德國、法國(guó)、日本、澳大利亞等十幾個國家(jiā)或地區的計(jì)量院、研究院、高(gāo)校、企業的50多名代表參會。
  首先,中國計量院科管部負責人介(jiè)紹(shào)了此次研討會的舉辦背景和中(zhōng)國計量(liàng)院的相關情況(kuàng)。包括中國(guó)計量院在內的國內外(wài)產、學(xué)、研、用單位的10位相關領(lǐng)域專家做了大會報告。報告內容涵蓋:石墨烯產業發展與對標(biāo)準、測量的需求與研究;多層(céng)石(shí)墨烯層數表征;基於(yú)橢偏光度法的薄膜物性表征(zhēng);矽半導體產業的計量討論;納米存儲芯片工程化中(zhōng)的測量與表征(zhēng);中國計量院有關半導體產業(yè)可溯源幾何量測量的研究;基於高分辨透射電鏡和掃描電鏡背散(sàn)射衍射法對半導體微器件和薄膜應(yīng)力/應變的測量;掠入(rù)射X射線反射法測納米級薄膜的膜厚;光譜儀在半導體、石墨烯中的應(yīng)用。
  報告後,國外代表(biǎo)表示中國石(shí)墨烯與半導體產業的快速發展與不斷提高(gāo)的技術水平出乎(hū)意料,參會代表就相關問題進行了熱烈的交(jiāo)流(liú)與討論。隨後,與會代(dài)表參(cān)觀了中國計量院昌平院區新材料實驗室。
  通過主辦(bàn)此次研討會,中國計量(liàng)院促進(jìn)了科研人(rén)員與企業的交流。一方麵企業了解到測量表(biǎo)征的新技術,同時科研(yán)人員(yuán)也開闊了思路與眼界,了解(jiě)了微電子產業和(hé)石墨烯產業對測量與表征技術的需求,為更緊密地圍(wéi)繞產業需求進行科學研究,促進產、學、研(yán)相結合奠定了(le)基礎。
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