據物理（lǐ）學家組織網10月14日報道，中美科學家攜手合作（zuò），為未來的電子設備研發出一類名為（wéi）拓撲絕緣體（TI）的電導體。該研究團隊（duì）報告稱（chēng），他們在一個（gè）超高真空腔內，分別在砷（shēn）化镓（GaAs）粗糙和光滑的表麵，種植出了兩類拓撲絕緣體材料，並對它們輸送電子的（de）能力（lì）進行了評估（gū）。相關研究發表在最新一期的美國物理聯合會學術期刊《AIP Advances》上。

      拓撲絕緣體是一種具有新奇量子特性的物質狀態，為近（jìn）幾年來物理學的重要科學（xué）前沿之一。從理論上分析，這類材料的內部是一（yī）個絕緣體，會阻礙電荷的流動；但其（qí）表麵則像一個非常高效的電導體（tǐ），使電子不會偏離其行進方向。

      該研究的通訊作者、北京大學量子材料（liào）科（kē）學中心研究員、博士生導師王（wáng）健（音（yīn）譯）表示：“拓撲絕緣（yuán）體所擁有的這種屬性使（shǐ）其能在未來用於超（chāo）高速、能量（liàng）不散逸的計算機內，這種計算機（jī）內的（de）大量信息將被（bèi）量子通道（dào）內的電子所運（yùn）載，避免目前計算機中電子散射導致的芯片過熱、數據流被破壞以及操作速度減慢的困擾。”

      研究人員以半導體工業廣泛使用的材料砷化镓作為基座，製造出了兩類拓撲（pū）絕緣（yuán）體材料：碲化鉍、碲化銻。

      該研（yán）究的聯合作者（zhě）、阿肯色州納米材料科學和工程研究所（suǒ）納米技術學家蒂莫西?摩根說：“電子傳導能力更強的高質量拓撲絕（jué）緣體薄膜在更光滑的表麵基座上被（bèi）種植出來，這對（duì）我們來說是一（yī）個意外之喜，一般來說，粗糙的點會為薄膜的生長提供（gòng）定位點（diǎn），而光滑的表麵則不會。新發現表明，我們需要對實驗中涉及到的生長機製（zhì）進行更深入的調查。”

      該研究的主（zhǔ）要作者、俄亥俄州立大學電子和計算機工程學院的博士後曾兆權（音譯）表示，他們已（yǐ）經證明，能夠（gòu）在工業標準的基座上種植出（chū）高質量的拓撲絕緣體材料，接下來，他們打算用（yòng）其設計並製造出某（mǒu）些基本的設備（bèi），以便檢查它們在進行電子開關（guān）和光電（diàn）探（tàn）測方麵的表（biǎo）現。