俄羅斯托姆斯克工業大學的研究人員用碳離子的短（duǎn）脈衝波作用於矽，在矽表麵合成納米金剛石粒子和碳粒子，在世界上首次研究成（chéng）功在其他物質表（biǎo）層內部（bù）合成納米金剛石粒子的方法。這種（zhǒng）方法的（de）研究成功能夠改變金屬製品和半導體的某些性質，能（néng）夠讓某些（xiē）材料變得更加堅固，提高其耐磨性以及同金剛石鍍層的粘結強度。這種方法在半導（dǎo）體照明產業甚至整個半導體工業具有（yǒu）很好的應用前（qián）景，但需要進（jìn）一步的試驗數據提供支撐。該大學的學者認為，由於金剛石納米粒（lì）子是在高溫（wēn）高壓（yā）條件（jiàn）下產生，而碳離子總（zǒng）是在發生（shēng）伴生作用。因此，這種合成方法不僅可以通過（guò）矽實現（xiàn），也可以在（zài）其他物質內部實現。早（zǎo）在三年前，該大學就（jiù）開始從事碳離子脈衝試驗，並於2012年獲得碳植入專利，被列入俄羅斯知識（shí）產權局公布的“俄羅斯100項優秀發（fā）明專利”之（zhī）中。