據法（fǎ）國國家科學研究院11月19日消息（xī），一支由美國（guó）佐治亞理工學院、法（fǎ）國國家科學研究中心、法國SOLEIL同步輻射光源、法國洛林大學讓?拉（lā）穆爾研究（jiū）所和格勒諾布爾尼（ní）爾研究所的科（kē）研人員組成（chéng）的團隊，曆經8年的合作研究，成功開發出生產石墨烯納米帶的新技術。石墨烯獨特的物理特性令其成為電子（zǐ）設備的理想（xiǎng）材料，這項技術為製備新一代納米電子元件鋪平了道路（lù）。該研究結果發表在11月18日的《自然?物理學》雜誌上。

      石墨烯是由單層碳原子組（zǔ）成的二維晶（jīng）體，具有很高化學穩定性（xìng），並具有優於碳納米管和金剛石的高導熱性、常溫下高（gāo）於納米碳管或矽晶體的電（diàn）子遷移率、低於（yú）銅或銀的電阻率等物（wù）理特性，因此成為了製備功耗更小、速率更高的新一代納米電子元件的重要候選材料（liào）。2004年，英國曼徹斯特（tè）大（dà）學物理學家安德烈?海姆和康斯坦丁?諾沃肖洛（luò）夫，從石墨中成功分離出石墨烯，從而（ér）證實石墨（mò）烯可以單獨存在，兩人也因“在二維石墨烯材料的開創性實驗”共（gòng）同獲得2010年諾貝爾物理學獎。十餘年來，各國科研人員針對石墨烯開（kāi）展了大（dà）量研究工作，試（shì）圖研製出高（gāo）效、可控的製備（bèi）石墨烯納米帶的技術工藝。

      基於法國SOLEIL同步加速器X射線等實驗的研（yán）究（jiū）成果，法美科學團隊成功研製出一種用於生產（chǎn）石墨烯納米帶半導體的方法。科研（yán）人員（yuán）在碳化矽（guī）表麵刻蝕凹槽，並以此作為基板，通過控（kòng）製基板（bǎn）的幾（jǐ）何形狀，在其上形成僅有幾納米寬的石墨烯納米帶。

      該項技術可在常溫下進行，其製備（bèi）的石墨烯半導體僅為此前IBM公司所製納米帶的五分之一寬。該技術可（kě）高效、可控（kòng）地製備石墨烯半導體，為石墨烯規模化工業生產帶來可能，同時也使新一代高密度集成電路（lù）的製備不再遙不可及（jí）。