日本京都大學工學院須田淳準教授和木本（běn）恒暢教授的研究組近日利用碳化矽（SiC）材料成功開發出可耐2萬伏超高壓的半導體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組於（yú）今（jīn）年6月已（yǐ）開發出可耐2萬伏超高壓的半導（dǎo）體二極管器件，隨後又成功（gōng）對超高壓環境下構成功率變換電路（lù）的開關器件和整流器件（jiàn）實施了技術驗證。
      研究組在高（gāo）壓環境下通過采用（yòng）避免電場集中的結構設計和表麵保護技術，利用碳（tàn）化矽（SiC）半導體材料實現了可（kě）耐2萬伏超（chāo）高壓（yā）的場（chǎng）效應晶體管。新型耐高壓器件可構成小型低損耗大功率變換器件，對於智能電網的開發、建設具（jù）有重要意義。
      在日本電網中，東日本的供電（diàn）交變頻率為50赫茲（Hz），西日（rì）本為60赫（hè）茲（zī）（Hz），東西電網的頻率變換要在10?30萬伏超高壓電路中進行。在輸電線路（lù）中也需要把架空的6600伏高壓轉換為100伏的家庭用市電。以往（wǎng）大多使用多個耐壓幾千伏的器件逐級（jí）進行（háng）電壓變換，存在設備（bèi）體積大、消耗功（gōng）率（lǜ）多、變換器可靠（kào）性低等弊病。利用新開發的耐高壓（yā）半導體器件，可有效解決以上問題。
      日本（běn）京都大學工學院須田（tián）淳準教授和木本（běn）恒暢教授的研究組今後將進一步提高器件的性能，盡快實現新器件的實用（yòng）化。