在“十一五”863計劃支持下，清華大學“聲電和磁電功能薄膜與器件”創新團隊課題，在移動（dòng）通訊用（yòng）濾波器關鍵（jiàn）技術的研究與產業化、氧化鋅（ZnO）薄膜多（duō）功能化結構與性能調控的研究取（qǔ）得重要進展，獲得國家科（kē）技進步（bù）二（èr）等獎和國家自然科學二等獎，並通過人才培養和團隊建設，形成一支規模適度、素質優良（liáng）、結（jié）構合理、結構優化和充滿活力的新材料創新隊伍，實現人才隊伍創新能力的跨越式（shì）提升。該課題近日順利通過驗收。
      “聲電（diàn）和磁（cí）電功能（néng）薄膜與器件”創（chuàng）新團隊通過與中國電子科技集團公司第二十六研究所等單位合作，利用新（xīn）開發（fā）的具有自主（zhǔ）知識（shí）產權的中高頻聲表麵波（bō）濾波器件的相關軟件與設計技術平台，突破了聲表麵波濾波器基片和叉指換能器材料的製備技術，大大（dà）提升了我國聲表麵波技術領域在設計、材料、工藝、器件等方麵的技術水平，打破了（le）國外對（duì）移動（dòng）通訊關鍵元器件技術、知（zhī）識產權（quán）的壟（lǒng）斷，研製出在移動通訊領域（yù）廣泛使用的多種型號中頻和射頻（1.8GHz）聲表麵波濾波器，創造了顯著的經濟和社會效益。
      該創新團隊還通過對ZnO薄膜材料的研究（jiū），發（fā）現了摻雜調（diào）製ZnO薄（báo）膜壓（yā）電（diàn）性、磁性和（hé）阻變特性的（de）一般規律，從理論上闡明了結構與性能（néng）的（de）內在聯（lián）係，研製出高壓電特性（達到170pC/N）ZnO壓電薄膜、高原（yuán）子磁矩（6.1μB/Co）和高居裏溫度（790K）ZnO稀磁薄膜（mó）、高阻變（biàn）窗口（107）的（de）ZnO阻變薄膜，製備（bèi）出中心頻率達到4.2GHz的ZnO基聲表麵波濾波器，隧道磁電阻達46.8%的ZnO自（zì）旋電子器（qì）件和高速（擦寫速度（dù）達到5ns）的ZnO阻變存儲器，該研究成果達到國（guó）際先進水平，研製的新型ZnO材料（liào）與器（qì）件有望在新一代（dài）信息存儲與處（chù）理領域獲得重要應（yīng）用，使我國在相關領域實現跨越式發展。