日本理化研究（jiū）所研究人員在28日的美國《物理評論通訊（xùn）》雜（zá）誌網絡版上（shàng）發表論文說（shuō），他們發（fā）現一種人（rén）工合（hé）成的鎘鋨氧化（huà）物在特定溫度下由導體（tǐ）變為（wéi）非（fēi）磁性半導體的原因。這種特性使（shǐ）其能（néng）夠成為（wéi）不怕消磁的存儲新材料。

　　根據理化研究所日前發表的新聞公報，多數物質在不同溫度下（xià）其導電性能並不會發（fā）生變（biàn）化，而有些種（zhǒng）類的金屬氧化物在溫度變化時導（dǎo）電性能（néng）會發生改變。一種人工（gōng）合成的鎘鋨（é）氧化物在室溫下擁（yōng）有良好的導電性能，而被（bèi）冷卻到零下52攝（shè）氏度（dù）時，它會從導體轉變成非磁性半導體。

　　來自理化研究所、東京大學、神戶大學等機構的研究人員嚐試利用大型同步輻射加速器SPring－8發出的X射線，觀（guān）察這種鎘鋨氧化（huà）物（wù）中鋨原子電子自旋的（de）排列，發現這種氧化物轉變（biàn）為半導體的同時，電子自旋排列出（chū）現（xiàn）了兩種方向。這種特殊的排列使氧化物整體（tǐ）的磁性消失，而兩種自旋方向則可分別代表（biǎo）數據存儲所必需的（de）0和1兩種狀（zhuàng）態。

　　公報指出，迄今的磁（cí）存（cún）儲介質一旦靠近（jìn）強磁場，存儲的數據有被消除的危險。而這種鎘鋨氧化物由於沒有磁性，因而（ér）不怕消磁，有望成（chéng）為新的（de）存儲材料。不過，離（lí）實際應用還要解決諸多課題，比如如何使這種物質在室溫下就能出現電子自旋排列（liè）改變，鎘和（hé）鋨（é）的（de）毒性處理等等。