英國研（yán）究人員最（zuì）近報（bào）告說，他們研（yán）發出一種（zhǒng）基於“電阻性記憶體”的新型存（cún）儲設備，與（yǔ）現在（zài）廣泛使（shǐ）用的閃存相比，耗電（diàn）量更低，而存取速（sù）度要快上一百倍。

      電（diàn）阻性記憶體（tǐ）的基礎是憶阻（zǔ）材料，這種材料的特殊性在於（yú），在外加電壓時其電阻會發生變化，隨後（hòu）即使取消（xiāo）外加電壓，它也能（néng）“記住”這個電阻值。在此基礎（chǔ）上開發出的存儲（chǔ）設備與現有閃存（cún）相比更快更節能，是業界（jiè）近來（lái）的研（yán）發熱點。但以前開發出（chū）的這種存儲設備隻能在高度真空環境中運行。

      英國倫敦大學學院等機構研（yán）究人員日前在《應用物理學雜誌》上（shàng）報告說（shuō），他們（men）發現可用矽的氧化物製作一種新（xīn）的（de）憶阻材料，相應存儲設備可在（zài）常（cháng）規環境下（xià）運行，因此應用價值大大提（tí）高。

      研究人員安東尼?凱尼恩說，這種新型存儲設備的能（néng）耗隻有閃存的約千分之一，而其存取（qǔ）速（sù）度是閃存的一百倍以上（shàng）。

      據介（jiè）紹，這項成果與科學（xué）史上許多發現一樣都是源（yuán）於意外。研究人員最開始是在用矽氧（yǎng）化物製作發光二極管，但在實驗過程中出了故障，發現（xiàn）所（suǒ）用材料的電學性質變得不穩定了，檢查之後發現（xiàn）它們電阻在變化（huà），原因是已經變成了憶阻材料，於是（shì）正好把它們轉用於研發新型存儲設備。