據美國物理學家組織網1月3日報道，由（yóu）於排列在矩陣上的大像素不支持較高的讀出速（sù）度，因（yīn）此傳統的“互補金屬氧化（huà）物半導體”（CMOS）影像傳感器不適合熒光燈等低光亮度應（yīng）用。德國弗勞恩霍（huò）夫研究所研製出的一種新型光電（diàn）組件能加速這一讀出過程，催生（shēng）出更佳的（de）圖像質量（liàng）。目前該技術（shù）已申請了專利，有望於明年（nián）正式投入（rù）生產。

      CMOS影像傳感（gǎn）器早已（yǐ）成了數碼攝影的主要解決方案。它們比現（xiàn）存的（de）其他品種傳感器更加經濟，在能（néng）量消耗和處理方麵也很出色。因此，手機和數碼相（xiàng）機製造商幾乎無一例外地將CMOS芯片應用（yòng）在自家的產品之（zhī）中。這不僅降低了（le）數碼產（chǎn）品對電池的需（xū）求，也使生（shēng）產出更多越來越小（xiǎo）的相機成為可（kě）能。

      然（rán）而這些光學半導體芯片已經達（dá）到了自己的極（jí）限，當消費類電子（zǐ）產品體積越來（lái）越小時，像素的大小也隨之遞減至1微米左右。但特定的（de）應用需要（yào）超過10微米的更大像素，尤其是（shì）在X射線（xiàn）攝影或（huò）天文學研究等光線十（shí）分有限的領域，而較大的像素可（kě）以補償光線的（de）缺失。針狀光電二極管（PPD）可（kě）被用（yòng）於將光信號轉化為（wéi）電（diàn）脈衝，這種光電組件對於圖像（xiàng）處理十分關鍵，也（yě）可以（yǐ）作為CMOS芯片的組成部分。“然而當像素超過一定的尺寸，PPD就（jiù）會產生速（sù）度問題（tí）。低亮度的應用需要（yào）更高的圖像率（lǜ），但使用PPD的讀出速度明顯偏低。”弗勞恩（ēn）霍夫研究所微電子電路和IMS係統部門的負責人維爾納?布洛克赫德解釋說。

      研究人員（yuán）現在提出了有關這一問題（tí）的解決方案，他們（men）研發出了名為“橫向漂移場（chǎng）光電探測器”（LDPD）的新型（xíng）光電組件（jiàn）。在這個組件中，高速移動的入射光能在讀出點產生電（diàn）荷載子（zǐ），借助PPD則可將電子擴散至出口。這一過程相對緩慢，但它卻足（zú）以滿足多種應用（yòng）。

      為了生產出新的組件，研究人員基（jī）於0.35微米（mǐ）的標準改進了當前使用的CMOS芯片的製（zhì）造過程。布（bù）洛克赫德表示，附加的（de）LDPD組件不會損害其他組件的特（tè）性，利用模擬計算，專家會對其進行管（guǎn）理以滿足這些需（xū）求。目前，新型高速CMOS圖像傳（chuán）感器的原型已經成（chéng）形，有望於明年得到（dào）批準開始大（dà）批生產。