據（jù）美國物理（lǐ）學家組織網11月14日報道，美國加利福尼亞大學伯克利分校研究人員開發出一種全新（xīn）的二維半導（dǎo）體，這是一（yī）種由砷化銦製造的“量子膜”，具有帶狀（zhuàng）結（jié）構，隻需簡單（dān）地減小尺寸就能從塊（kuài）狀三維材料轉變為二維材料。相關論文發表在近期出版的《納米快報》上（shàng）。

      當半導（dǎo）體材料的尺（chǐ）寸小到納米級，它們在電學和光學方麵的性質就（jiù）會發生極大改變，產生量子限製效應，由此人們可以製造（zào）出被稱為量子膜的二維晶體管。量子膜約為10納米或更少，其運行（háng）基本（běn）上被限製在一個二維空間中。由於這種獨特的性質，它們能在高度專業化的量子光學與電（diàn）子應用領域大展所（suǒ）長。

      目前二維半導體方麵的研究大部分要用到石墨烯類的材料。加州大學伯克利分校的阿裏?傑維帶領的研究小組通（tōng）過另一種途徑製造出了砷化銦“量子膜”。而且新（xīn）量子膜可以作為一種無需襯底的獨立材料，能和各種襯底（dǐ）結合，而以往其他同（tóng）類材料隻能用於一種襯底。

      他們先在銻（tī）化镓（GaSb）和銻化（huà）鋁镓（AlGaSb）襯底上生長出（chū）了砷化銦，將它置（zhì）於頂（dǐng）層並設計成任何想要的（de）樣子，然後將底層腐蝕掉，把剩（shèng）下的砷化銦層移到任何（hé）需要的襯底上（shàng），製成了最終產品。

      為了測試產（chǎn）品的效果，研究小組把不同（tóng）厚度（5納米到50納米）的砷化銦量子膜轉印到透明（míng）襯底上（shàng），對其（qí）進（jìn）行光吸收實驗，他們能（néng）直接觀察（chá）到量子化的亞帶，並繪製出了每個亞帶的光學性質。在測試它們的電學性（xìng）質過程中，研究小組還觀（guān）察到明顯的量子限製效應，電子移動與傳（chuán）統的金（jīn）屬氧化物半導體場效應晶（jīng）體管（guǎn）（MOSFET）截然不同。

      研究人員表示，該研究不僅給半導體家族增添了一種新（xīn）材料，也有助（zhù）於人們（men）理解結構限製性材料的原理，帶來更多的特殊材料，在二維物理基礎設備研究方麵邁出了重要一步。