5月23日獲悉（xī），中國科學院北京半導體研究所(ISCAS)采用他們提供（gòng）的Thomas Swan MOCVD設備開發出世界首個近紫外波長的半導體激光器。 據介紹，中（zhōng）科院半導（dǎo）體所2年前安裝此設備，主要用於GaN器件的研究。經過2年多（duō）時間的努力，在集成光電子國家重點實驗室楊輝教授的帶領和陳良惠教（jiāo）授帶領的另外一個組的配合下，他們成功開發了（le）中國大陸第一個近（jìn）紫外（wài）光的半導體激光器。這種激光器（qì）采用5周（zhōu）期InGaN/GaN 多量子阱結構作為有源（yuán）層，AlGaN/GaN超晶格作（zuò）為包層，光波長為410nm。