韓國三星電子公司最近開發成（chéng）功大（dà）容量納米（mǐ）半導體??60納米8千兆位閃存（cún）。據稱這（zhè）是目前（qián）世界上容量最大的納米（mǐ）半導體。 　　據韓國各大媒體報道，60納米8千兆位閃存（cún）用直徑相當於一根頭發絲兩千分之一的電路線製成，其成品（pǐn）外形類似16兆（zhào）位半導（dǎo）體卡，規格僅有半個名片（piàn）盒大小，但其儲存容量（liàng）很大。一塊8千兆位（wèi）閃存可存儲6．4萬張（zhāng）（版）報紙的文字信息，或存儲（chǔ）10多部ＤＶＤ電影，或（huò）40ＭＰ3歌曲。100塊8千兆位閃（shǎn）存即可將韓國最大的圖書館??漢城大學圖（tú）書館擁有的（de）200萬冊藏書全部存儲進去。8千（qiān）兆位（wèi）閃（shǎn）存（cún）可用作手機、數碼（mǎ）相機（jī）、數碼攝像（xiàng）機的主存儲器。 　　閃存是一種新型的半導（dǎo）體芯片，其（qí）主要特點是在電器斷電時（shí）能（néng）保存數據不丟失。閃存是（shì）生產手機、數碼相機等必不可少的元件。納（nà）米技術的（de）精度決定了閃存容量的大小（xiǎo），裝（zhuāng）在半導體（tǐ）基板上的電路線直（zhí）徑越（yuè）小，閃存容量就越大。 　　三星公司（sī）1999年和2000年分別開發成功256兆位（wèi）和512兆位閃存。2001年，三星公司首次采用納米技術開發成功100納米千兆位閃存。2002年和2003年，三（sān）星公司又先後推出90納米2千兆位和70納米4千兆位閃存。 　　三星公司（sī）此次同時推出80納米2千（qiān）兆位動（dòng）態隨機存儲器（ＤＲＡＭ），這種存儲器具有極大的（de）信息存（cún）儲功能（néng），一般用（yòng）於超高（gāo）速大容量服務器。正在研發的第（dì）四代手機即智能手機就將采用這種80納米2千兆位動態隨機存儲器。