9月1日電， 世界最大芯片生產商美國英特（tè）爾公司宣布，已采用最先進的65納米芯片製造工藝生產出了儲存（cún）量為70兆的靜態隨機存取存儲器（SRAM）芯片。該公司同時宣布，下一代納（nà）米芯片製造技術水平將達到45納米。 　　作為半導體工業新（xīn）技（jì）術商業化常用的測試元器（qì）件，靜態存取記憶器在（zài）邏輯（jí）製造方麵的技術可以用於製造微處理器。英特爾稱，使用65納米製造工藝可將晶體管尺寸縮小約30％，從而可以在一（yī）塊芯片上集成更多晶體管。這種新工藝為英特爾將來推出多內（nèi）核電腦中央處理（lǐ）器芯片以及開發視頻和安（ān）全等方麵的新功能奠定了基礎，它可以（yǐ）提（tí）高芯片性能，還具有（yǒu）節能（néng）等特（tè）點。美國俄勒岡州的芯片製（zhì）造廠明年準備率先利用65納米新技術大規模生產芯片。 　　1納（nà）米等於（yú）1米的十億分之一。業內人士認為，65納米芯片（piàn）製造（zào）技術的成功將（jiāng）再次使英特爾芯片龍頭老大的（de）地位更為穩（wěn）固（gù）。此前（qián），不少芯片製造商（shāng）試（shì）圖開發90納米（mǐ）與65納米尺度的芯片製造新技（jì）術，但終（zhōng）因成本昂貴不得不放棄。目前新（xīn）一代（dài）的0.13微米，相（xiàng）當於130納米芯片試生產的成本就高達80萬（wàn）美元。很少有集成電路方麵的設計公（gōng）司能承擔得起。 　　有關（guān）專家指出，利用納米新材料技術，芯片（piàn）的集成度將再次出現倍數增長。英特爾的納米芯片新製造技術持續驗證了半導體界經典的“摩爾定律”的有效性。“摩爾定律”曾由英特爾公司創辦人（rén）摩爾提出，即芯片的集成度每18個（gè）月就會（huì）增加一倍。在此之前，“摩爾定（dìng）律”受到傳統半導體材料極限的限製（zhì）。