三星8月25日表（biǎo）示，為擴大產能，計劃再興（xìng）建一座12寸晶圓廠，采用65納米製程生產NAND型閃存等產品。 　　三星美國子公司Samsung Semiconductor Inc. 技術行銷副總Jon Kang指出：“我們將興建新的65納米生產線（xiàn）。”公司正（zhèng）積極研發70納米以下產（chǎn）品，包（bāo）括一8GB閃存裝置。 　　三星一發言人表示，這座12寸廠蓋好也是好幾年以後的事，除此之外並未透露（lù）更多內容。Samsung目（mù）前在京畿道華城市有一座12寸（cùn）廠，采用（yòng）新的100納（nà）米製程生（shēng）產新（xīn）款（kuǎn）DDR2芯片。這座工廠也生產2GB flash，但使用的是90納米製程。 　　Kang表示，2GB將公司今年主力產品，公司也正努力（lì）研發4GB和8GB的NAND flash。初期產（chǎn）品將（jiāng）使用70納米以下製程。首批產品是8GB NAND，樣品應可在年底發表，但要到2006年（nián）才會量（liàng）產。 　　三星（xīng）為維持市場領先地位積極擴張產能（néng）。Kang表示：“我們的目（mù）標是每年將產品容量提高1倍。” 　　據市場研究公司iSuppli的最新報（bào）告，三星雖然在（zài）全球flash市場坐穩首位，但第二季度flash銷（xiāo）售比（bǐ）第一季度減少（shǎo）4.6%，市占率由23.6%降至21.2%。