德國雷根斯堡大學、馬爾堡大學（xué）和帕德博恩大學的科學家合作，利用一種新近投入使用的高（gāo）壓太赫磁輻射源，在萬億分之（zhī）一秒的精確（què）時間內在半導體上製造了電壓達到（dào）100億伏/平方米的電磁場（chǎng），並研究觀察了電子振動現象。
      由於創紀錄的強度和精確的磁場運動控製，這個輻射源能夠製造遠紅外（wài）區的超短脈衝。科（kē）學家的實驗妙招是，將這種超（chāo）短（duǎn）脈衝（chōng）的擺動電磁場作為短暫的偏壓。他們借助（zhù）高速攝像機，發現振動的電子可以產生從微波到紫外光區域的電磁波。為了解釋測量到的（de）數據，科學家們開發了一個量子力學模型，這個模型可以反映半導體（tǐ）內的複雜過程，並確證試驗獲得的數據符合（hé）布洛赫振動的特征。
      有（yǒu）關研（yán）究結果（guǒ）揭示了量子世界新的一麵，對未來半導體元件的開發具有重要意義。研究（jiū）結果還表明，單光振動的瞬間產生的電（diàn）流是可以被控製的。未來的電子學也（yě）將拓展到（dào）光學時鍾（zhōng）速率水平。布洛赫振動產生的超短脈衝突破了遠紅（hóng）外區域的記錄（lù），有望成為超短時物（wù）理研究的（de）重要研究（jiū）工（gōng）具。有關結果發表在《自然光子學》雜誌（zhì）上。