德國和西班牙兩國科研小組合作，利（lì）用紅外線（xiàn）納米近場顯（xiǎn）微鏡發明了一種（zhǒng）無幹擾檢測納米半導體材料張力的新方法，這一新方法為科學家研究半導體材（cái）料的物理性能，以及測量納米級半導體元器件的性能提供了新的可能。

　　參與（yǔ）這項（xiàng）發明的是位（wèi）於（yú）德國慕尼黑的馬普生（shēng）物化學及等離子物理研究（jiū）所和聖塞巴斯蒂安的西班牙巴斯克研究所。一種無幹擾和無接觸的測量技術對納米和半導體技術研究來說（shuō）一直是個很大的挑戰，因此，該成果對納米級範疇的材料張（zhāng）力特性測量（liàng）具（jù）有重（chóng）要的意義，利用它可（kě）以確定高性能陶（táo）瓷物理（lǐ）特性，以（yǐ）及現代半導體元器件的（de）電子特性。

　　德國馬普生物化學和等離子物（wù）理研究所的專家首先開發出了一種紅外線納米近場（chǎng）顯微鏡，這種（zhǒng）基於原子顯微鏡AFM的納米近場顯微鏡（jìng）利用20納米至40納米直徑的可控光柵（shān）束作為光學近場記錄，並（bìng）運用（yòng）可控光束拍攝並獲取材料的光學和物理特性。

　　最新（xīn）研究（jiū）顯示，紅外線（xiàn）納米顯微鏡還可以發現晶體材料中最細微（wēi）的張力場和（hé）納米級裂紋（wén）。在一項示範性試驗中，科學（xué）家對一塊試驗鑽石施以不同強（qiáng）度的壓力，利用納（nà）米顯（xiǎn）微鏡跟（gēn）蹤材料在壓力下產生的納米張（zhāng）力場的變化，納米（mǐ）近場（chǎng）顯微鏡（jìng）拍攝的圖片成功地（dì）顯示了這一測量方法的可靠性。參與試驗的專家安德列斯?胡伯評論說，相對於（yú）其（qí）他顯微鏡技術，如電（diàn）子顯微鏡，新的測量方法具（jù）有很多優越性（xìng），它不（bú）需要（yào）特殊地製作試樣，因此也避免了對試樣的標準化校正等麻煩的程序。

　　紅（hóng）外線（xiàn）近場顯（xiǎn）微鏡（jìng）的潛在應用還包括對納米級張力（lì）半導體材料的電子載荷密度和移動性的檢測，應用於現代半導體材料結構的設計，定向提高電子元器件的性能，並使未來的（de）計算機芯片更加小型化。