巨磁阻（zǔ）效應發現者榮膺2007年度諾貝爾物理學獎。英飛（fēi）淩現已開始利用這種效（xiào）應測量汽車轉向角度，成為全球首家（jiā）開始批量生產集成巨磁阻傳感器(iGMR) 的半導體供應商。英飛淩的傳感器可異常精確地測量0°到360°的轉向角度，包含兩個（gè）GMR全橋、一（yī）個溫（wēn）度（dù）傳感器、兩（liǎng）個模數（shù）轉（zhuǎn）換（huàn）器、數個穩壓器、濾波器以及在運行（háng）過程（chéng）中（zhōng）能連續監控這些組（zǔ）件的內部機製。

　　英飛淩（líng）傳感器芯片TLE 5010具（jù）備兩個數字角度分量――正弦函數（shù）和（hé）餘弦函數。通過SPI接口連接傳感器的8位微控製器利用（yòng）這些分量計算實際的角度信號。傳感器與微控（kòng）器之間采用數字方式傳（chuán）輸數據（jù），提高了抗幹擾性，此外，集成的溫度傳感器還可起到補償的作用，確保在-40 °C至+150 °C的溫度範圍內獲（huò）得非常精確的轉向角度（dù）。

　　GMR效（xiào）應是（shì）由幾納米厚（hòu）的多層金屬膜（mó）的磁場產生（shēng）的電阻變（biàn）化導（dǎo）致的。簡單來說，該（gāi）金屬膜由（yóu）具備固定的穩（wěn）定磁化方向(參考方（fāng）向)的參考層和磁化方向由外部磁場決定（dìng）(如指（zhǐ）南針)的傳感層構成。傳感層和參考層通過僅為幾個原（yuán）子厚的銅層隔開（kāi），從而產生 GMR效（xiào）應（yīng）。施加的磁場和傳感（gǎn）器參考層之（zhī）間的角度決定了金屬膜的電（diàn）阻變化。英飛淩成功地按照所需（xū）的精確度將這些層融入半導體標準CMOS製造（zào）工藝 。

　　英飛淩傳感器銷售高級主管Frank Bauche表示：“就高度集（jí）成的創新傳感器而言，英飛淩取得了傑（jié）出的技（jì）術成果。我們通過將GMR效應用於汽（qì）車應用（yòng），大大提高了轉向精度。目前，我們正在開發更智能的傳感器，幫助改善汽車的安全性，提高燃油效率和減少廢（fèi）氣排（pái）放。”