太陽誘（yòu）電開發出檢測靈敏度為1ppb的氣（qì）體傳感器，並在（zài）2007年10月2日開幕的“CEATEC JAPAN 2007”上展示。氣體傳感器在矽晶圓上形成介電膜，因其吸附氣體的特點太陽誘電將其稱為“納米級（jí）氣體傳感器”。介電膜本身尺寸極小，為80μm×500μm，便於（yú）實現傳感器整體的小型化。

　　關於用途，太陽誘電首（shǒu）先考慮用於半（bàn）導（dǎo）體生產設備內氧氣殘留測定等（děng）生產線用途。目前，進行ppb級（jí）的檢（jiǎn）測僅限於工廠設備安裝時使用（yòng）分析設備來檢測殘留氣體的濃度。該公司認（rèn）為，今後隨著半導體工藝的微細化，必須提高在線氣體檢測精度，1ppb～數ppb的高檢測靈敏度傳感器的需（xū）求將增大。

　　此次開發出的傳感器利用介電膜吸附氣體後（hòu），介電膜的電阻值出現（xiàn）變化，以此來檢測氣體。具體的檢測方法如下。在介電膜（mó）吸附欲檢測的氣體後（hòu），檢測（cè）介電膜的電阻值。然後，加熱介（jiè）電膜使強介電體變（biàn）化為正常介電體，放出氣體。之後再次使介電體吸附氣體，並測量電（diàn）阻值恢複到（dào）之前的檢測值所需時間。由於（yú）氣（qì）體再次被介電體吸附的時間與氣體濃度成反比，所以可以測定氣體濃度。通過檢測氣體（tǐ）放出（chū）時的電（diàn）阻值的時間變化，能夠實現高檢測精度（dù）。過去的半導體氣體傳感器（qì）也是利用氣體吸附來檢測電阻值的變化，不過控製氣體的放出較難（nán），檢測電阻值（zhí）的時間變化也很難。

　　此次展示的傳感器的開發為日本經濟產業省的2007年地區新建產業製造技術開發費用補助項目。目標是09年供應樣品。如果（guǒ）實現量產的話，估計包括檢測電路在內的單價將控製在數萬日元以（yǐ）內。