安捷倫科技日前宣布推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脈（mò）衝參數（shù）測試儀，用（yòng）來鑒定使用高級工藝技術(如65nm技術節點)製造的器（qì）件。通過Agilent 4075和4076，半導體測試（shì）工程師可以（yǐ）同（tóng）時測量RF特（tè）點（diǎn）和DC特點，以滿足當前體積日益縮小的多樣化半導（dǎo）體器件需求，如65nm及更高工藝（yì）的超薄柵氧化物晶體管、絕（jué）緣體（tǐ）上矽(SOI)晶體（tǐ）管和高介電常數(高（gāo）k)器件。 Agilent 4075和（hé）4076為精確鑒定新的器件結（jié）構提供（gòng）了所需的靈活性，如超薄柵氧（yǎng）化（huà）物MOSFET，或（huò）通信應用中使用的（de）高速半導體器（qì）件。這兩款測（cè）試儀支持10ns短脈衝式IV測量，如高速（sù）邏（luó）輯應用（yòng）中使用的SOI晶體（tǐ）管（guǎn）和高介電常數晶體管。此外，Agilent 4076支持直到1fA的超低電流測量功能（néng）。 與整個4070係列一樣，Agilent 4075和4076支（zhī）持行業標準300mm SECS/GEM自動化協議，保證製造設備共享一致的界（jiè）麵和行為。 現代超薄柵MOSFET容易受到電子隧道的影響。為鑒（jiàn）定其電容和（hé）電壓(CV)行為特點，測量頻率必需超（chāo）過（guò）幾兆赫。但（dàn）是，高頻CV (HFCV)及實現鑒（jiàn）定必需的射頻頻率CV (RFCV)測量技術之間相互抵觸。Agilent 4075和4076同時支持HFCV (4294A)儀器和RFCV (ENA/PNA)儀（yí）器，使得用（yòng）戶能夠選擇最佳方法，滿足（zú）自己的工藝技術和生產測試需求。 Agilent 4075和4076都把高速電容（róng）測量單元(CMU)集成到測試頭中。這一功能（néng）可以在1kHz - 2MHz頻率範圍內，對層間/層內氧化物進行快速電（diàn）容測量，從而（ér）改善吞吐量，降低測試成本。 安捷倫（lún）的這兩（liǎng）款測試（shì）儀都支持利用PNA進行RF的S參數測試功能，相對於目前（qián）市麵上使（shǐ）用VNA的解決方案，以PNA為主的RF解決方（fāng）案可提供更高的產出（chū）速度（dù）。此外，Agilent 4076還為生產測試提供（gòng）了實驗室測試（shì）功能。 Agilent 4075和4076所有的（de）RF、HFCV和超短脈衝式IV測量功能都可以在整個新設計的直接對接接（jiē）口上使用。這種直接對接的設計可通過自動（dòng）化的探針卡更（gèng）換機製，讓使用者輕易地控製和變換探針卡（kǎ），而且這種RF直接對接的方式也不會減少任何的（de）DC針腳。